Are deficitul de cipuri un impact semnificativ asupra furnizării de diode în echipamentele energetice?

一, Dezechilibrul cererii și ofertei: piața diodelor pentru echipamente energetice se confruntă cu deficite structurale
1. Creștere explozivă pe partea cererii
Piața globală de echipamente energetice se confruntă cu o expansiune dublă: pe de o parte, vânzările de vehicule cu energie noi au crescut de la 12,866 milioane de unități în 2023 la peste 20 de milioane de unități în 2025, cu un singur vehicul folosind peste 2000 de diode; Pe de altă parte, capacitatea instalată de stocare a energiei se extinde cu o rată de creștere anuală compusă de 45%. Până în 2025, cererea globală de diode de stocare a energiei va ajunge la 9 miliarde, iar dimensiunea pieței va depăși 4 miliarde de yuani. Câmpul fotovoltaic prezintă, de asemenea, o tendință explozivă, cu o creștere globală așteptată a capacității instalate fotovoltaice de 400 GW până în 2025, corespunzând unei cereri de peste 5 miliarde de diode.

2. Constrângeri multiple din partea ofertei
Riscul de concentrare a capacității de producție: Peste 70% din capacitatea globală de producție de diode de calitate auto este concentrată în câteva companii, cum ar fi Anshi Semiconductor și Infineon, iar fluctuațiile capacității de producție la fabricile lor din Dongguan și German Julin afectează direct oferta globală. Preluarea Ansea Semiconductor de către guvernul olandez în 2025 a dus direct la închiderea fabricilor Honda din Mexic și a declanșat o penurie de module BMS pentru sistemele de stocare a energiei.
Bariera ciclului de certificare: diodele pentru echipamente energetice trebuie să treacă de certificări stricte, cum ar fi AEC-Q101 și UL, cu un ciclu de certificare de până la 6-18 luni. O companie internațională de stocare a energiei a dezvăluit că întârzierea certificării diodelor pentru noul său produs a dus la o întârziere de 3 luni în livrarea proiectului și o pierdere directă de peste 20 de milioane de dolari SUA.
Blocaj de materie primă: aprovizionarea strânsă cu substraturi cu carbură de siliciu (SiC) a devenit un blocaj. Până în 2025, rata de penetrare a diodelor SiC va crește de la 12% la 38%, dar 90% din capacitatea globală de producție a substratului SiC de 6 inci este monopolizată de companii americane precum Wolfspeed și Cree, rezultând o rată a randamentului de numai 60% pentru producătorii autohtoni, ceea ce duce la o creștere anuală de 7% -9% a prețurilor la SiC.
2, Substituția tehnologică: inovație revoluționară în criză
1. Accelerarea iterației materialelor
Optimizare bazată pe siliciu: diodele Trench Schottky utilizează tehnologia de gravare adâncă a șanțului pentru a reduce căderea de tensiune directă de la 0,45 V la 0,28 V, crescând eficiența sistemului cu 0,4 puncte procentuale. Ele au fost adoptate pe scară largă de companii precum Sunac Power.
Revoluție în bandgap larg: Domestic Yangjie Technology lansează o diodă Schottky SiC de 1700V, rupând monopolul internațional și menținând o marjă de profit brut de peste 50%; Tehnologia Huawei Power S folosește diode GaN pentru a reduce consumul de energie al sistemelor de stocare a energiei cu supercondensatori cu 10%.
2. Revoluția încapsulării
Structură verticală tridimensională: dioda verticală PiN optimizează calea curentului pentru a crește densitatea curentului la peste 200 A/cm², reducând numărul de componente ale stației de conversie cu 30%.
Integrare inteligentă: Littelfuse a lansat un modul integrat cu diodă+chip de detectare a temperaturii, la prețul de 0,45 USD cu o marjă de profit brut de 60%, promovând evoluția modulelor BMS către miniaturizare.
3. Inovație la nivel de sistem
Optimizarea topologiei: PCS (convertor de stocare a energiei) folosind schema hibridă SiC MOSFET+diodă, cu frecvența de comutare crescută de la 16kHz la 50kHz și pierderea sistemului redusă cu 40%.
Compensare software: BYD ajustează dinamic parametrii de funcționare ai diodelor prin algoritmi AI, prelungind durata de viață a modulelor IGBT cu 20% și înlocuind parțial cererea de diode de vârf-.
3, Substituția internă: factori duali ai politicii și pieței
1. Expansiunea capacității se accelerează
Creșterea întreprinderilor de top: Yangjie Technology ocupă primul loc în China, cu o cotă de piață de 19,8%. Linia sa de producție de diode de calitate auto de 12 inchi va fi pusă în funcțiune în 2025, cu o capacitate de producție anuală de 5 miliarde de bucăți; Diodele Silan Micro SiC au o cotă de piață de 28% și au intrat în lanțul de aprovizionare al Tesla.
Ecosistem de integrare verticală: producătorii de sisteme precum BYD și Sunac Power au stabilit împreună o alianță „Ambalare și testare a chipurilor de materiale” cu companiile de diode, reducând ciclul de livrare de la 20 de săptămâni la 8 săptămâni.
2. Politica de eliberare a dividendelor
Sprijin pentru Strategia „Dual Carbon”: Țara va include diode de stocare a energiei în „Planul de acțiune pentru dezvoltarea industriei componentelor electronice de bază” și va oferi o reducere de taxe cu 30% pentru cercetarea și dezvoltarea substratului SiC.
Contramăsuri pentru controlul exporturilor: China implementează gestionarea licențelor pentru exporturile de-diode de ultimă generație, forțând întreprinderile naționale să crească ratele de auto-suficiență și să atingă o rată de localizare de 70% până în 2025.
3. Revoluție pe piața internațională
Pătrunderea piețelor emergente: piețele fotovoltaice din India și Asia de Sud-Est au explodat, iar companiile chineze de diode își vor crește cota de piață de peste mări de la 32% la 40% până în 2025, valorificându-și avantajele de cost-eficiență.
Îmbunătățirea puterii discursului standard: „Specificația tehnică pentru diodele de stocare a energiei” condusă de China a devenit un proiect de standard internațional al IEC, rupând monopolul Statelor Unite și al Europei.