Ce mărci de comunicare folosesc pe scară largă - diode finale în dispozitivele lor?

一, Descoperiri tehnologice ale mărcilor de comunicare internațională
1. Huawei: Revoluția diodelor de carbură de siliciu în stații de bază 5G
Huawei a înlocuit dispozitivele tradiționale pe bază de siliciu - cu diode Schottky din carbură de siliciu (sic) în designul masiv al antenei MIMO, obținând o creștere semnificativă a eficienței sintezei de putere. De exemplu, un anumit model de stație de bază crește puterea de ieșire cu un singur canal de la 40W la 64W prin potrivirea diodei de recuperare SiC UltraPast (UFRD), iar eficiența sistemului atinge 48%, ceea ce este cu 6 puncte procentuale mai mari decât soluția tradițională. Această descoperire este atribuită caracteristicilor largi de bandă ale materialelor SIC, care au o rezistență a câmpului electric de defecțiune de 10 ori mai mare decât a siliciului, o reducere de 70% a rezistenței și o reducere semnificativă a pierderilor de comutare și disiparea termică.
În modulul de alimentare al stației de bază, Huawei adoptă un design colaborativ al diodei GAN Hemt și SIC, care permite eficiența sursei de alimentare cu 48V de comunicare să depășească 96%. Prin optimizarea caracteristicilor de recuperare inversă a diodei (QRR redusă de la 50NC la 5NC), combinată cu tehnologia de răcire a microcanelului, densitatea puterii dispozitivului atinge 1kW/L, iar temperatura de joncțiune a diodei rămâne stabilă sub 85 de grade, îndeplinirea cerințelor de bază ale densității-} ale stațiilor de bază 5G.
2. Ericsson: integrarea diodelor de frecvență - în front RF - End
Ericsson aplică pe scară largă diode tehnologice Super Junction în Modulele RF front -, obținând omogenizarea câmpului electric prin aranjarea alternativă a coloanelor P/N, reducând căderea tensiunii de conducere (VF) de 600V Sic Schottky diode de la 1,7V la 1.1V. În scenariile de comunicare de undă milimetrică (24 - 100GHz), self - a dezvoltat dioda de structură MOSFET a șanțului reduce rezistența la conducere la 0,5 m Ω · cm ² și scurtează timpul de recuperare invers la 5NS, îndeplinind cerințele de comutare de viteză mare de 5G NR (New Radio) pentru semnele RF.
În plus, Ericsson folosește diode cu pin cu ambalaje de plumb în fascicul în echipamente de comunicare prin satelit pentru a obține o viteză de răspuns la nivel de 0,5ns pentru circuitele de comutare a antenei. Acest dispozitiv reduce tensiunea de depășire a semnalului de la 5V la 0,5V prin eliminarea inductanței încapsulate (LPAR<0.5nH), significantly improving system stability.
3. Nokia: Fotodode inovatoare în modulele de transmisie optică
Nokia folosește fotodiodul SAKO Micro SL9302 Silicon Pin în modulul său de transmisie optică de 400g/800G pentru a obține o descoperire în sensibilitatea la recepția semnalului optic. Acest dispozitiv îmbunătățește reacția la 0,9a/w (@ 1550nm) și reduce curentul întunecat la 0,1NA prin optimizarea grosimii stratului I -, care susține transmisia fără releu de peste 100 km. În sistemele de comunicații optice coerente, lățimea de bandă 3DB a SL9302 atinge 30 GHz, care îndeplinește cerințele formatului de modulare PAM4 pentru detectarea semnalului de viteză ridicat -.
2, Practica de substituție internă a mărcilor de comunicare internă
1. ZTE: Tehnologie de rectificare sincronă în module optice
ZTE Corporation a înlocuit diodele tradiționale cu n - tip MOSFET -uri în frontul său 5G - module optice finale, obținând un salt în eficiența de rectificare sincronă. De exemplu, modulul său optic de 25g ajustează dinamic unghiul de conducere MOSFET, crescând eficiența de conversie a puterii de la 85% la 94% și economisind până la 1,2 milioane kWh de energie electrică pe modul pe an. Această tehnologie reduce consumul de energie cu 60% prin eliminarea scăderii de tensiune fixă ​​(VF ≈ 0,7V) a diodei, reducând în același timp dificultatea proiectării termice.
În domeniul sursei de alimentare a stației de bază, ZTE a colaborat cu Suzhou Gude pentru a dezvolta diode de redresare SiC SBD, care reduc scăderea tensiunii înainte (VF =0.3 V) cu 80% în comparație cu diodele tradiționale de recuperare rapidă și scurtează timpul de recuperare inversă (TRR {=10 ns) cu 70%. Dispozitivul rămâne stabil în intervalul de temperatură de -40 grad până la gradul +125, respectând standardele stricte de fiabilitate ale echipamentelor de comunicare.
2. Comunicare cu fibră: Protecția diodelor TVS în centrele de date
FiberHome Communications folosește diode de televizoare unidirecționale Littelfuse (cum ar fi SMAJ5.0A) în întrerupătoarele sale de date pentru a obține protecție electrostatică pentru porturi Ethernet 10/1000Base -} T. Prin optimizarea structurii de joncțiune PN, timpul de răspuns al acestui dispozitiv este scurtat la 1P, precizia tensiunii de prindere este controlată la ± 5%și poate rezista la descărcare de aer de 30kV și descărcare de contact de 15kV, respectând standardul IEC 61000-4-5.
În modulul optic de 400G Center de date, fibra de fibră a colaborat cu Vishay pentru a dezvolta o diodă de televizoare cu capacitate parazitară scăzută (CJ =0.5 PF), ceea ce reduce atenuarea semnalului la sub 0,1DB și acceptă transmiterea fără pierderi a semnalelor PAM4. Acest dispozitiv reduce ocupația spațiului PCB cu 60% prin adoptarea ambalajelor de montare a suprafeței (SMD), care îndeplinește cerințele de implementare a densității -} ale centrelor de date.
3. Comunicare jingxin: selecția diodelor de frecvență ridicate - în stații de bază mici
Comunicarea Jingxin folosește pe scară largă - diode de frecvență, cum ar fi 1N4148 și SS14, pentru a obține detectarea și rectificarea semnalului în stațiile sale de bază 5G. De exemplu, 1N4148 realizează o detectare a sensibilității -40DBM în banda de frecvență Wi Fi 6e de 2,4 GHz cu timpul său de recuperare invers de 8ns și capacitatea de joncțiune 4PF; Dioda SS14 Schottky are o picătură de tensiune înainte de 0,3V și o picătură de tensiune inversă de 40V, care satisface nevoile de alimentare cu curent de joasă tensiune și curent de curent al stațiilor de bază mici.
În stațiile de bază mici cu undă milimetrică, jingxina a introdus diode BAP64-03 RF. Prin optimizarea grosimii stratului epitaxial, pierderea de inserție a semnalelor de 10 Gbps este controlată în 0,5DB, iar zgomotul de fază este redus la -160DBC/Hz, îndeplinind cerințele stricte ale 5G NR pentru performanța RF.