TRANSISTORI NPN 2SC2412
Tranzistoarele NPN 2SC2412 sunt categorii bazate pe stratificarea materialelor semi -conductoare. Tranzistoarele NPN conțin straturi negative, pozitive și negative, în timp ce tranzistoarele PNP conțin straturi pozitive, negative și pozitive. Dar scopul tranzistorului (un comutator electric sau un amplificator) este în esență același.
Descriere
Echipa tehnică profesională
Managementul de top al companiei noastre are doi profesori de la Universitatea Electrică din Universitatea Zhejiang și am angajat mai multe cercetări de alimentare cu energie la nivel de proiecte aerospațiale și militare în domeniul energiei electrice în 2011, și am găsit TRR Micro Micro Power Sursa de cercetare Institute, proiectăm profesional și modificăm schema de produse de alimentare pentru clienți, economisim costurile și îmbunătățim eficiența energetică sau înlocuim IC -ul lipsit.
Experiență bogată
Acțiunile TRR au înmulțirea zonelor de bază tehnologii de bază în wafer, pachet, test de aparate și proiectare de aplicații, etc., dedicăm cercetării, fabricării, vânzării și proiectării schemei de aplicații în componente de tip nou, obținute deja mai mult de 80 de brevete naționale autorizate de inventare, includ podul general MB10F în industria de alimentare cu energie electrică, industria LED utilizată UMB10F / B7 Bridge, Globest Mothest Bridge IBS și seria High High Junction Temperatist.
Gama largă de produse
Compania noastră se concentrează pe cea care furnizează industriei produse și servicii personalizate utilizate în mod obișnuit și personalizate în funcție de cerințele pentru utilizatori, produsele aplicate pe scară largă în multe domenii precum alimentare cu energie electrică și adaptoare (client: SunGrow Power Sursă), Green Iluminat (Clienți: MLS, Tospo Lighting), router Motoare), transformator de frecvență, aparate electrice mari și mici de uz casnic (client: GREE), zona de pază de siguranță (Hikvision, Dahua) și alte zone.
Tranzistoarele NPN 2SC2412 sunt categorii bazate pe stratificarea materialelor semi -conductoare. Tranzistoarele NPN conțin straturi negative, pozitive și negative, în timp ce tranzistoarele PNP conțin straturi pozitive, negative și pozitive. Dar scopul tranzistorului (un comutator electric sau un amplificator) este în esență același.
Tranzistorul 2SA733 este un dispozitiv semiconductor de tensiune de saturație de înaltă performanță, stabilit și scăzut de saturație, realizat din material de siliciu cu jet NNP epitaxial, care are o gamă largă de aplicații. Acest produs a fost utilizat pe scară largă în diferite câmpuri, cum ar fi sisteme de control automat, circuite de amplificator, circuite de comutare, gestionarea puterii și electronice de comunicare.
Rectificator de siliciu de montare la suprafață 2A1
Rectificatorul de siliciu de suprafață 2A1, ca componentă electronică, are avantajele dimensiunilor mici, a greutății ușoare, a economiilor de spațiu, a performanței electrice bune, a puterii ridicate, a stabilității ridicate și a duratei de viață de serviciu îndelungate și poate fi utilizat pe scară largă în diferite domenii.
TO-126 PLASTIC-CLANSULATE DE CENCASULUI PLASTIC 13003
To-126 Plastic Encapsulează tranzistorii 13003 este un tranzistor NPN utilizat frecvent în circuitele electronice. Poate fi utilizat în diferite circuite și are efecte de amplificare și comutare a puterii mari. Potrivit pentru diverse aparate de uz casnic, instrumente electronice, produse electronice, electronice auto, periferice de calculator etc.
Beneficiile tranzistoarelor NPN 2SC2412
Un tranzistor NPN 2SC2412 este un tip de tranzistor de joncțiune bipolară (BJT). Este format dintr-un strat de material semiconductor de tip p, sandwich între două straturi de material semiconductor de tip N. Cele două straturi de tip N acționează ca emițător și colecționar, iar stratul de tip p acționează ca bază. Tranzistorul se numește NPN, deoarece majoritatea transportatorilor din regiunile emițătorului și colecționarului sunt electroni, care sunt încărcați negativ.
Avantajele tranzistoarelor NPN 2SC2412 sunt prezentate mai jos:
· Câștig mare și impedanță de intrare ridicată
· Zgomot scăzut
· Viteza rapidă de comutare
· Cost scăzut
· Disponibilitate ușoară
O configurație tranzistoare NPN 2SC2412
Mai sus sunt prezentate mai sus tensiunile de construcție și terminal pentru un tranzistor NPN 2SC2412. Tensiunea dintre bază și emițător (VBE) este pozitivă la bază și negativă la emițător, deoarece pentru un tranzistor NPN, terminalul de bază este întotdeauna pozitiv în raport cu emițătorul. Tensiunea de alimentare a colectorului trebuie să fie, de asemenea, mai pozitivă în ceea ce privește emițătorul (VCE).
Prin urmare, pentru ca un tranzistor NPN bipolar să se desfășoare corect, colectorul trebuie să fie întotdeauna mai pozitiv atât în ceea ce privește terminalele de bază, cât și pentru cele emițătoare.
Atunci sursele de tensiune sunt conectate la un tranzistor NPN, așa cum este arătat. Colectorul este conectat la VCC de tensiune de alimentare prin rezistența de încărcare, RL, care acționează, de asemenea, pentru a limita curentul maxim care curge prin dispozitiv.
Tensiunea de alimentare de bază VB este conectată la rezistența de bază RB, care este din nou utilizată pentru a limita curentul maxim de bază.
Deci, într -un tranzistor NPN 2SC2412, mișcarea transportatorilor de curent negativ (electroni) prin regiunea de bază este cea care constituie acțiune tranzistor, deoarece acești electroni mobili furnizează legătura dintre circuitele colecționar și emițător. Această legătură între circuitele de intrare și ieșire este principala caracteristică a acțiunii tranzistorului, deoarece proprietățile de amplificare a tranzistoarelor provin din controlul în consecință pe care baza îl exercită asupra colectorului la curentul emițător.
Apoi putem vedea că tranzistorul este un dispozitiv cu curent (model beta) și că un curent mare (IC) curge liber prin dispozitivul dintre colector și terminalele emițătorului atunci când tranzistorul este comutat „complet”. Cu toate acestea, acest lucru se întâmplă numai atunci când un curent de prejudecăți mic (IB) curge în terminalul de bază al tranzistorului în același timp, permițând astfel bazei să acționeze ca un fel de intrare de control curentă.
Curentul într -un tranzistor NPN bipolar este raportul dintre acești doi curenți (IC/IB), numit câștigul curent al dispozitivului și i se oferă simbolul HFE sau în zilele noastre Beta, ().
Valoarea poate fi mare până la 200 pentru tranzistoarele standard și este acest raport mare între IC și IB care face ca tranzistorul NPN bipolar să fie un dispozitiv de amplificare util atunci când este utilizat în regiunea activă, deoarece IB oferă intrarea și IC oferă ieșirea. Rețineți că beta nu are unități, deoarece este un raport.
De asemenea, câștigul curent al tranzistorului de la terminalul colectorului la terminalul emițătorului, IC/IE, se numește alfa, () și este o funcție a tranzistorului în sine (electroni care difuzează de -a lungul joncțiunii).
Întrucât curentul emițător IE este suma unui curent de bază foarte mic, plus un curent de colecție foarte mare, valoarea alfa (), este foarte aproape de unitate, iar pentru un tranzistor tipic de semnal cu putere redusă, această valoare variază de la aproximativ 0,950 la 0,999.
Principiul de lucru al tranzistorilor NPN 2SC2412
Principiul de lucru al unui tranzistor NPN 2SC2412 se bazează pe controlul fluxului de curent între regiunile emițătorului și colecția prin variația curentului de bază. Tranzistorul NPN are trei terminale: emițătorul (e), baza (b) și colectorul (c). Emițătorul este confecționat din material de tip N, baza este confecționată din material de tip P, iar colectorul este fabricat din material de tip N.
Atunci când o mică tensiune pozitivă este aplicată pe joncțiunea emițătorului de bază, joncțiunea devine înainte de a fi prestabilită, permițând electronilor să curgă de la emițător la bază. Deoarece regiunea de bază este subțire și ușor dopată, doar o mică parte din acești electroni se recombină cu găuri în bază. Majoritatea electronilor continuă să curgă prin bază și să ajungă la colecționar, care este părtinit invers.
Joncțiunea de colecție de bază cu părtinire inversă creează un câmp electric care respinge electronii departe de bază și îi atrage spre colector. Drept urmare, un curent mare curge de la colector la emițător, care este controlat de curentul de bază mai mic. Raportul dintre curentul colectorului și curentul de bază este cunoscut sub numele de câștigul curent () al tranzistorului.
Tranzistoarele cu diode NPN (NPN) sunt utilizate într -o varietate:
· Aplicațiile de înaltă frecvență folosesc acestea.
· Aplicațiile de comutare sunt în cazul în care tranzistoarele NPN sunt utilizate cel mai frecvent.
· Această componentă este utilizată în circuitele de amplificare.
· Pentru a amplifica semnalele slabe, este folosit în circuitele de pereche Darlington.
· Tranzistoarele NPN sunt utilizate în aplicații în care este necesară o chiuvetă curentă.
· Unele circuite clasice amplificatoare, cum ar fi circuitele amplificatoare „push-pull”, folosesc această componentă.
· În senzorii de temperatură, de exemplu.
· Aplicații cu o frecvență extrem de ridicată.
· În convertoarele logaritmice, se folosește această variabilă.
· Deoarece amplificarea semnalului se face cu tranzistoarele NPN. În amplificarea circuitelor, acesta este utilizat în acest fel.
· Convertizoarele logaritmice sunt o altă zonă în care este utilizat.
· Caracteristica de comutare a tranzistorului NPN este unul dintre cele mai semnificative avantaje ale acestuia. Drept urmare, este utilizat în mod obișnuit în comutarea aplicațiilor.
Construcția tranzistoarelor NPN 2SC2412
Tranzistorul NPN este construit cu două diode care sunt conectate astfel încât spatele lor să se conecteze unul cu celălalt. Aceste diode sunt conectate astfel încât cele trei terminale să fie formate cunoscute sub numele de bază de colecție și emițător. Două joncțiuni sunt formate în IT-one este bazată pe emițători, iar cealaltă este baza colectorului.
Tranzistorul NPN este creat atunci când sunt combinate 3 straturi, și anume două semiconductoare de tip N și un semiconductor de tip p la mijloc. Două diode sunt conectate între ele, ceea ce duce la patru regiuni dopate, deoarece fiecare dintre diode are 2 regiuni dopate. Baza creată nu va avea o dopaj uniformă.
Prin urmare, un tranzistor NPN este întotdeauna construit în trei straturi, dintre care baza este ușor dopată, emițătorul este puternic dopat și colectorul este moderat dopat. Baza semiconductorului de tip p este înființată în centru, între emițător și colectorul semiconductorului de tip N.
Tranzistorul funcționează pe diferite moduri sau regiuni depinde de părtinirea joncțiunilor. Are trei moduri de funcționare.
Mod de tăiere
În modul de curgere, ambele joncțiuni sunt în prejudecată inversă. În acest mod, tranzistorul se comportă ca un circuit deschis. Și nu va permite curentului să curgă prin dispozitiv.
Mod de saturație
În modul de saturație al unui tranzistor, ambele joncțiuni sunt conectate în prejudecăți înainte. Tranzistorul se comportă ca un circuit apropiat și flux de curent de la colector la emițător atunci când tensiunea emițătorului de bază este ridicată.
Mod activ
În acest mod al unui tranzistor, joncțiunea de emițător de bază este prejudecată înainte, iar joncțiunea colector-bază este părtinitoare inversă. În acest mod, tranzistorul funcționează ca un amplificator curent.
Fluxurile curente între emițător și colector și cantitatea de curent sunt proporționale cu curentul de bază.
NPN TRANSISTORI 2SC2412: De unde știți dacă un tranzistor este NPN sau PNP?
Orientarea săgeată pe simbolul schematic
Simbolurile schematice pentru tranzistoarele NPN și PNP sunt similare, dar orientarea săgeții de pe emițător indică tipul de tranzistor. Într -un simbol al tranzistorului NPN, săgeata subliniază spre exterior de la bază, în timp ce într -un simbol al tranzistorului PNP, săgeata se îndreaptă spre interior spre bază.
Test de polaritate
Folosind un multimetru în modul de testare a diodelor, puteți determina polaritatea joncțiunilor tranzistorului. Pentru un tranzistor NPN, joncțiunea emițătorului de bază va arăta o prejudecată înainte (rezistență scăzută) atunci când sonda pozitivă este conectată la bază și sonda negativă la emițător. Joncțiunea de colecție de bază va prezenta o prejudecată inversă (rezistență ridicată). În schimb, pentru un tranzistor PNP, joncțiunea emițător de bază va arăta o prejudecată înainte atunci când sonda negativă este conectată la bază și sonda pozitivă la emițător, în timp ce joncțiunea de colecție de bază va arăta o prejudecată inversă.
Tensiune de descompunere a colectorului-bază
Tranzistoarele NPN 2SC2412 au, de obicei, o tensiune mai mare de defalcare a bazei de colecție în comparație cu tensiunea lor de defalcare a bazei emițătorului, în timp ce tranzistoarele PNP au o tensiune mai mare de defalcare a bazei emițătorului în comparație cu tensiunea de defecțiune a colectorului. Măsurarea acestor tensiuni de defalcare poate ajuta la identificarea tipului de tranzistor.
Fabrica noastră
TRR Electronics Co., Ltd este o întreprindere de capital de stat care controlează întreprinderea de dobândă care face ca cercetarea, să dezvolte, să producă și să vândă componente și produse discrete semiconductor ca principală activitate de operare. Suntem filiala A-Shares Citate Compania 600059 și găsită în 2000, Toexpand Oversea Market Business, a înființat filiala Guangdong Trr Electronics Co., Ltd.
Acțiunile TRR au înmulțirea zonelor de bază tehnologii de bază în wafer, pachet, test de aparate și proiectare de aplicații, etc., dedicăm cercetării, fabricării, vânzării și proiectării schemei de aplicații în componente de tip nou, obținute deja mai mult de 80 de brevete naționale autorizate de inventare, includ podul general MB10F în industria de alimentare cu energie electrică, industria LED utilizată UMB10F / B7 Bridge, Globest Mothest Bridge IBS și seria High High Junction Temperatist.
Certificatul nostru
Ghid de întrebări frecvente finale pentru tranzistoarele NPN 2SC2412
Tag-uri populare: NPN Transistors 2Sc2412, China, Furnizori, Producători, Fabrica, Distribuitori, Citate, Inventar, Shenzhen, OEM, în stoc
Trimite anchetă
S-ar putea sa-ti placa si
